項目概況(kuang)：

武(wu)漢(han)國家(jia)存儲器基地位于武(wu)漢(han)東湖(hu)高(gao)新區(qu)的武(wu)漢(han)未來(lai)科技(ji)城未來(lai)三(san)路，將建設(she)3座(zuo)全球單座(zuo)潔(jie)凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建(jian)筑。項目一期計劃2018年建成投產，2020年(nian)完成整(zheng)個(ge)項目。武(wu)漢(han)國家存儲器(qi)基地為中(zhong)國打破主流存儲器(qi)領域空(kong)白，實現(xian)產業(ye)和經濟跨越發展提(ti)供重要支撐(cheng)，是國家重點支持的(de)集(ji)成電路四大產業(ye)聚區之一，努力打造世界級(ji)的(de)集(ji)成電路產業(ye)創新中(zhong)心。我司再次簽約國家存儲基地熱水工程，確(que)保全年基地(di)熱水需求。